2022年9月28日
韩国媒体表示,韩国三星计划3年内创建GAAFET技术3纳米节点,成为芯片代工业界的游戏规则破坏者,追

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韩国媒体表示,三星计划在三年内创建GAAFET技术3nm节点,成为芯片代理行业游戏规则的破坏者,赶超全球芯片代理龙头台湾半导体Manufacturing。

据《BusinessKorea》称,GAAFET技术是一种新时代工艺,通过改进半导体晶体管结构,使晶体管的所有四面都接触栅极,而不是现在FinFET工艺的三面。GAAFET技术生产芯片可以比FinFET更准确地控制电流。

根据市场研究调查机构TrendForce的报告,2021年第四季度,台湾半导体MANEPAFERCERING全球芯片代工业以52.1%的市长/市场份额狠狠甩开了韩国三星,为了赶上台湾半导体MANEPAFERCINE MANARICERI三星数据显示,GAAFET技术3纳米工艺性能比5纳米工艺降低了15%,能耗降低了30%,芯片面积减少了35%。

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三星最近试产了GAAFET技术3纳米工艺,2023年引进了第二代3纳米工艺芯片量产,2025年量产了GAAFET技术2纳米工艺。相反,台湾半导体Manufacturing,下半年量产采用FinFET技术3纳米节点。使用FinFET技术的原因是台湾半导体Manufacturing的成本和稳定性。

韩国市长/市场有关人士表示,三星GAAFET如果以主3nm工艺为中心确保良品率,就有可能成为代理市场游戏规则的破坏者。此外,台湾半导体Manufacturing(WHO)直到2025年才宣布引进GAAFET技术2纳米工艺,2026年左右公布了第一款产品,2022年末至2025年3年对三星芯片代理业至关重要。

三星最近5年宣布将向半导体等主要产业投资450万亿韩元,但面临3纳米工艺障碍。和三星一样,提高台湾半导体Manuepack Carring 3纳米良品率也很困难。当初计划从7月开始为英特尔和苹果量产3纳米芯片,GPU大厂英伟达也支付了高达90亿韩元的预付款,以台湾半导体Manufacturing 3纳米生产今年发布的GeForce RTX40系列GPU,但由于产量问题,GeForce RTX40系列GPU最终采集了5纳米而不是3纳米。

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报纸指南台湾媒体指出,台湾半导体Manufacturing的难度在确保3nm预期良品率和多次修改技术路线方面遇到困难。但是台湾半导体Manufacturing情况三星也是如此。三星宣布3nm正在准备试生产,但良品率仍然太低,推迟了量产过程。韩国市长/市场分析师表示,除非三星以7纳米以上的先进工艺技术获得更多客户,否则投资者对三星业绩的信心可能会下降。

-台湾半导体Manufacturing Abbo 3nm GAAFET技术三星三年内的两率是关键

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